Menu Navigation

SIZ900DT-T1-GE3
Изображения предназначены только для справки. Подробную информацию о продукте см. в спецификации продукта
thumb-0

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR


Изготовитель транспортных средств: Vishay / Siliconix

Набор данных (Datasheet): SIZ900DT-T1-GE3

Цена за номер:

USD $0.98

На складе: 99 pcs

Параметр продукта

Серия документов
TrenchFET®
Тип FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Упаковка для пищевых продуктов
Digi-Reel®
Функция FET
Logic Level Gate
Статус части
Obsolete
Мощность-Макс.
48W, 100W
Тип установки
Surface Mount
Упаковка/футляр
6-PowerPair™
Базовый номер детали
SIZ900
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds на (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 19.4A, 10V
Пакет устройств для поставщиков
6-PowerPair™
Заряд врат (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Слив в источник напряжения (Vdss)
30V
Пропускная способность (Ciss) (Max) @ Vds
1830pF @ 15V
Ток-непрерывный слив (Id) @ 25°C
24A, 28A

Вы также можете быть заинтересованы в