SIR788DP-T1-GE3

Параметр продукта

---

Серия документов

SkyFET®, TrenchFET®

Тип FET

N-Channel

Упаковка для пищевых продуктов

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

В области технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Функция FET

Schottky Diode (Body)

Статус части

Obsolete

Тип установки

Surface Mount

Упаковка/футляр

PowerPAK® SO-8

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds на (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 20A, 10V

Рассеивание силы (Макс.)

5W (Ta), 48W (Tc)

Пакет устройств для поставщиков

PowerPAK® SO-8

Заряд врат (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Слив в источник напряжения (Vdss)

30V

Пропускная способность (Ciss) (Max) @ Vds

2873pF @ 15V

Ток-непрерывный слив (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Напряжение привода (Макс. Rds On, мин. Rds On)

4.5V, 10V