Menu Navigation

SI8900EDB-T2-E1
Изображения предназначены только для справки. Подробную информацию о продукте см. в спецификации продукта
thumb-0

SI8900EDB-T2-E1

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP


Изготовитель транспортных средств: Vishay / Siliconix

Набор данных (Datasheet): SI8900EDB-T2-E1

Цена за номер:

USD $1.46

На складе: 28 pcs

Параметр продукта

Серия документов
TrenchFET®
Тип FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Упаковка для пищевых продуктов
Tape & Reel (TR)
Функция FET
Logic Level Gate
Статус части
Active
Мощность-Макс.
1W
Тип установки
Surface Mount
Упаковка/футляр
10-UFBGA, CSPBGA
Базовый номер детали
SI8900
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1.1mA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds на (Max) @ Id, Vgs
-
Пакет устройств для поставщиков
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Заряд врат (Qg) (Max) @ Vgs
-
Слив в источник напряжения (Vdss)
20V
Пропускная способность (Ciss) (Max) @ Vds
-
Ток-непрерывный слив (Id) @ 25°C
5.4A

Вы также можете быть заинтересованы в