Menu Navigation

SI3900DV-T1-E3
Изображения предназначены только для справки. Подробную информацию о продукте см. в спецификации продукта
thumb-0

SI3900DV-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP


Изготовитель транспортных средств: Vishay / Siliconix

Набор данных (Datasheet): SI3900DV-T1-E3

Цена за номер:

USD $0.57

На складе: 48734 pcs

Параметр продукта

Серия документов
TrenchFET®
Тип FET
2 N-Channel (Dual)
Упаковка для пищевых продуктов
Digi-Reel®
Функция FET
Logic Level Gate
Статус части
Active
Мощность-Макс.
830mW
Тип установки
Surface Mount
Упаковка/футляр
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер детали
SI3900
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds на (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Пакет устройств для поставщиков
6-TSOP
Заряд врат (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Слив в источник напряжения (Vdss)
20V
Пропускная способность (Ciss) (Max) @ Vds
-
Ток-непрерывный слив (Id) @ 25°C
2A

Вы также можете быть заинтересованы в