Menu Navigation

S3JHE3_A/I
Изображения предназначены только для справки. Подробную информацию о продукте см. в спецификации продукта
thumb-0

S3JHE3_A/I

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB


Изготовитель транспортных средств: Vishay / Semiconductor - Diodes Division

Набор данных (Datasheet): S3JHE3_A/I

Цена за номер:

USD $0.48

На складе: 3415 pcs

Параметр продукта

- скорость движения
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Серия документов
-
Упаковка для пищевых продуктов
Cut Tape (CT)
Тип диода
Standard
Статус части
Active
Тип установки
Surface Mount
Упаковка/футляр
DO-214AB, SMC
Базовый номер детали
S3J
@ Vr, F
60pF @ 4V, 1MHz
Пакет устройств для поставщиков
DO-214AB (SMC)
Время восстановления назад (тир)
2.5µs
Ток-обратная утечка @ Vr
10µA @ 600V
Напряжение постоянного тока назад (Vr) (Max)
600V
Текущий-средний скорректированный (Io)
3A
Рабочая температура-соединение
-55°C ~ 150°C
Напряжение-вперед (Vf) (Max) @ если
1.15V @ 2.5A

Вы также можете быть заинтересованы в