Menu Navigation

RN1130MFV,L3F
Изображения предназначены только для справки. Подробную информацию о продукте см. в спецификации продукта
thumb-0

RN1130MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM


Изготовитель транспортных средств: Toshiba Semiconductor and Storage

Набор данных (Datasheet): RN1130MFV,L3F

Цена за номер:

USD $0.03

На складе: 7 pcs

Параметр продукта

Серия документов
-
Упаковка для пищевых продуктов
Tape & Reel (TR)
Статус части
Active
Мощность-Макс.
150mW
Тип установки
Surface Mount
Упаковка/футляр
SOT-723
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Резистор-основание (R1)
100 kOhms
Частота-переход
250MHz
Пакет устройств для поставщиков
VESM
Резистор-база излучателя (R2)
100 kOhms
Насыщенность Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Текущий-коллектор (Ic) (Max)
100mA
Текущий-отрезок коллектора (Макс.)
500nA
Прирост постоянного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
Напряжение-поломка эмиттера коллектора (Макс.)
50V

Вы также можете быть заинтересованы в