Menu Navigation

HS1J R3G
Изображения предназначены только для справки. Подробную информацию о продукте см. в спецификации продукта
thumb-0

HS1J R3G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC


Изготовитель транспортных средств: Taiwan Semiconductor Corporation

Набор данных (Datasheet): HS1J R3G

Цена за номер:

USD $0.49

На складе: 3600 pcs

Параметр продукта

- скорость движения
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Серия документов
-
Упаковка для пищевых продуктов
Cut Tape (CT)
Тип диода
Standard
Статус части
Active
Тип установки
Surface Mount
Упаковка/футляр
DO-214AC, SMA
@ Vr, F
20pF @ 4V, 1MHz
Пакет устройств для поставщиков
DO-214AC (SMA)
Время восстановления назад (тир)
75ns
Ток-обратная утечка @ Vr
5µA @ 600V
Напряжение постоянного тока назад (Vr) (Max)
600V
Текущий-средний скорректированный (Io)
1A
Рабочая температура-соединение
-55°C ~ 150°C
Напряжение-вперед (Vf) (Max) @ если
1.7V @ 1A

Вы также можете быть заинтересованы в