RJS6004TDPN-EJ#YJ1

Параметр продукта

---

- скорость движения

No Recovery Time > 500mA (Io)

Серия документов

-

Тип диода

Silicon Carbide Schottky

Статус части

Obsolete

Тип установки

Through Hole

Упаковка/футляр

TO-220-2

@ Vr, F

-

Пакет устройств для поставщиков

TO-220AB-2L

Время восстановления назад (тир)

0ns

Ток-обратная утечка @ Vr

10µA @ 600V

Напряжение постоянного тока назад (Vr) (Max)

600V

Текущий-средний скорректированный (Io)

10A (DC)

Рабочая температура-соединение

150°C (Max)

Напряжение-вперед (Vf) (Max) @ если

1.8V @ 10A