RJK2055DPA-WS#J0

Параметр продукта

---

Серия документов

-

Тип FET

N-Channel

Vgs (Max)

±30V

В области технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Функция FET

-

Статус части

Obsolete

Тип установки

Surface Mount

Упаковка/футляр

8-PowerWDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Рабочая температура

150°C

Rds на (Max) @ Id, Vgs

69mOhm @ 10A, 10V

Рассеивание силы (Макс.)

30W (Tc)

Пакет устройств для поставщиков

8-WPAK

Заряд врат (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Слив в источник напряжения (Vdss)

200V

Пропускная способность (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

Ток-непрерывный слив (Id) @ 25°C

20A (Ta)

Напряжение привода (Макс. Rds On, мин. Rds On)

10V