2N5460_L99Z

Параметр продукта

---

Серия документов

-

Тип FET

P-Channel

Статус части

Obsolete

Мощность-Макс.

350mW

Тип установки

Through Hole

Упаковка/футляр

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Рабочая температура

-65°C ~ 135°C (TJ)

Пакет устройств для поставщиков

TO-92 (TO-226)

Напряжение-развал (V(BR)GSS)

40V

Напряжение-отключение (VGS off) @ Id

750mV @ 1µA

Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Пропускная способность (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V