UMG3N-TP

Параметр продукта

---

Серия документов

-

Статус части

Obsolete

Мощность-Макс.

150mW

Тип установки

Surface Mount

Упаковка/футляр

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Тип транзистора

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Резистор-основание (R1)

4.7kOhms

Частота-переход

250MHz

Пакет устройств для поставщиков

SOT-353

Резистор-база излучателя (R2)

-

Насыщенность Vce (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Текущий-коллектор (Ic) (Max)

100mA

Текущий-отрезок коллектора (Макс.)

-

Прирост постоянного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Напряжение-поломка эмиттера коллектора (Макс.)

50V