MPS750-AP

Параметр продукта

---

Серия документов

-

Статус части

Obsolete

Мощность-Макс.

625mW

Тип установки

Through Hole

Упаковка/футляр

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Тип транзистора

PNP

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Частота-переход

75MHz

Пакет устройств для поставщиков

TO-92

Насыщенность Vce (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Текущий-коллектор (Ic) (Max)

2A

Текущий-отрезок коллектора (Макс.)

100nA (ICBO)

Прирост постоянного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 1A, 2V

Напряжение-поломка эмиттера коллектора (Макс.)

40V