MJE13002B-AP

Параметр продукта

---

Серия документов

-

Статус части

Obsolete

Мощность-Макс.

900mW

Тип установки

Through Hole

Упаковка/футляр

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Тип транзистора

NPN

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Частота-переход

5MHz

Пакет устройств для поставщиков

TO-92

Насыщенность Vce (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 40mA, 200mA

Текущий-коллектор (Ic) (Max)

800mA

Текущий-отрезок коллектора (Макс.)

100µA (ICBO)

Прирост постоянного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

9 @ 200mA, 10V

Напряжение-поломка эмиттера коллектора (Макс.)

400V