2SD2012-BP

Параметр продукта

---

Серия документов

-

Статус части

Obsolete

Мощность-Макс.

2W

Тип установки

Through Hole

Упаковка/футляр

TO-220-3

Тип транзистора

NPN

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Частота-переход

3MHz

Пакет устройств для поставщиков

TO-220

Насыщенность Vce (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 2A

Текущий-коллектор (Ic) (Max)

3A

Текущий-отрезок коллектора (Макс.)

100µA (ICBO)

Прирост постоянного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

Напряжение-поломка эмиттера коллектора (Макс.)

60V