2SC2001-L-AP

Параметр продукта

---

Серия документов

-

Статус части

Obsolete

Мощность-Макс.

600mW

Тип установки

Through Hole

Упаковка/футляр

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Тип транзистора

NPN

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Частота-переход

50MHz

Пакет устройств для поставщиков

TO-92

Насыщенность Vce (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 70mA, 700mA

Текущий-коллектор (Ic) (Max)

700mA

Текущий-отрезок коллектора (Макс.)

100nA

Прирост постоянного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

135 @ 100mA, 1V

Напряжение-поломка эмиттера коллектора (Макс.)

25V