2SC1008-G-AP

Параметр продукта

---

Серия документов

-

Статус части

Obsolete

Мощность-Макс.

800mW

Тип установки

Through Hole

Упаковка/футляр

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Тип транзистора

NPN

Рабочая температура

-

Частота-переход

30MHz

Пакет устройств для поставщиков

TO-92

Насыщенность Vce (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Текущий-коллектор (Ic) (Max)

700mA

Текущий-отрезок коллектора (Макс.)

100nA (ICBO)

Прирост постоянного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 50mA, 2V

Напряжение-поломка эмиттера коллектора (Макс.)

60V