MG1250S-BA1MM

Параметр продукта

---

Информация о проекте

Standard

Серия документов

-

Тип IGBT

-

Статус части

Active

Мощность-Макс.

500W

Настройка по умолчанию

Half Bridge

Тип установки

Chassis Mount

NTC термостор

No

Упаковка/футляр

S-3 Module

Рабочая температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Пакет устройств для поставщиков

S3

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A (Typ)

Текущий-коллектор (Ic) (Max)

80A

Пропускная способность (цулы) @ Vce

4.29nF @ 25V

Текущий-отрезок коллектора (Макс.)

500µA

Напряжение-поломка эмиттера коллектора (Макс.)

1200V