IRF100B202

Параметр продукта

---

Серия документов

HEXFET®, StrongIRFET™

Тип FET

N-Channel

Упаковка для пищевых продуктов

Tube

Vgs (Max)

±20V

В области технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Функция FET

-

Статус части

Active

Тип установки

Through Hole

Упаковка/футляр

TO-220-3

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Рабочая температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds на (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 58A, 10V

Рассеивание силы (Макс.)

221W (Tc)

Пакет устройств для поставщиков

TO-220AB

Заряд врат (Qg) (Max) @ Vgs

116nC @ 10V

Слив в источник напряжения (Vdss)

100V

Пропускная способность (Ciss) (Max) @ Vds

4476pF @ 50V

Ток-непрерывный слив (Id) @ 25°C

97A (Tc)

Напряжение привода (Макс. Rds On, мин. Rds On)

10V