DF200R12KE3HOSA1

Параметр продукта

---

Информация о проекте

Standard

Серия документов

-

Тип IGBT

-

Статус части

Active

Мощность-Макс.

1040W

Настройка по умолчанию

Single

Тип установки

Chassis Mount

NTC термостор

No

Упаковка/футляр

Module

Рабочая температура

-40°C ~ 125°C

Пакет устройств для поставщиков

Module

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Пропускная способность (цулы) @ Vce

14nF @ 25V

Текущий-отрезок коллектора (Макс.)

5mA

Напряжение-поломка эмиттера коллектора (Макс.)

1200V