IXFN55N50F

Параметр продукта

---

Серия документов

HiPerRF™

Тип FET

N-Channel

Упаковка для пищевых продуктов

Tube

Vgs (Max)

±20V

В области технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Функция FET

-

Статус части

Active

Тип установки

Chassis Mount

Упаковка/футляр

SOT-227-4, miniBLOC

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds на (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 27.5A, 10V

Рассеивание силы (Макс.)

600W (Tc)

Пакет устройств для поставщиков

SOT-227B

Заряд врат (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V

Слив в источник напряжения (Vdss)

500V

Пропускная способность (Ciss) (Max) @ Vds

6700pF @ 25V

Ток-непрерывный слив (Id) @ 25°C

55A (Tc)

Напряжение привода (Макс. Rds On, мин. Rds On)

10V